Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коэффициент, характеризующий уменьшение интенсивности рассеянного рентгеновского излучения из-за тепловых колебаний атомов.
На примере белков G-семейства рассмотрена новая возможность использования программы FoldUnfold для поиска и предварительного анализа гибких участков в белках.
Путем детального анализа фактора Дебая-Валлера показано, что результаты измерения «нулевых колебаний» в экспериментах по рассеянию кристаллами рентгеновского излучения, нейтронов и гамма-квантов следует интерпретировать как рассеяние на возникающих под действием облучения колебаниях ядер в возмущенных (отличных от нормального) состояниях.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.