область полупроводниковоrо прибора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область.
С точки зрения проводимости коллекторный и эмиттерный слои неразличимы, но при этом они отличаются друг...
В активном режиме работы транзистор включается таким образом, чтобы его эмиттерный переход был смещен...
являются носителями заряда эмиттере, инжектируются (проходят через открытый переход эмиттер-база в область...
Но из-за малой легированности базы, часть носителей заряда эмиттера диффундируют в область коллектора...
В коллекторную или эмиттерную цепь транзистора включается резистор, который задает электрический ток
Проведен теоретический анализ условий реализации квантового режима генерации микроволнового излучения в полупроводниковых резонансно-туннельных диодных (РТД) структурах. Методами численного моделирования проанализирован высокочастотный отклик в структурах с симметричными и асимметричными барьерами. Исследовано влияние фермиевского распределения носителей заряда в приконтактной области. Показано, что оптимальными с точки зрения экспериментального наблюдения квантового режима усиления являются асимметричные структуры с пониженной концентрацией примесей (1017 см~3) в эмиттерной области.
нормальный активный (переход эмиттер-база открыт, переход коллектор-база закрыт), инверсный активный (эмиттерный...
коллектор
В активном усилительном режиме работы биполярный транзистор подключается таким образом, что его эмиттерный...
В транзисторах типа n-р-n электроны (основные носители заряда) инжектируются в область базы....
слабо легированной, большинство электронов, которые были инжектированны из эмиттера, диффундируют в область...
В транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями стока и
Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
радиочастоты 30-300 ггц.
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
