толстослойная электрооптическая регистрирующая среда, в которой запись дифракционной структуры осуществляется за счет электрооптических эффектов (эффекта Керра или эффекта Поккельса) при наложении внешнего электрического управляющего поля.
Для перехода в режим генерации второй гармоники необходимо предоставить определенное напряжение на электрооптическое...
В этом случае используется:
зависимость коэффициента преломления света от направления в кристалле;
световая...
волна, имеющие разные скорости;
большая группа кристаллов, которую называют одноосными кристаллами....
Если световая волна распространяется вдоль оптического вектора кристалла, тогда она не «расщепляется»...
под определенным углом к его оптическому вектору, а также, если падающая на кристалл волна полностью
В работе определены основные проблемы исследования электрооптических свойств кристаллаLiNbO3 с помощью фазовых и поляризационных сингулярностей. Как оказалось, воздействие поперечного электростатического поля на кристалл вызывает изменение фазовой и поляризационной структуры появляется дополнительные сингулярности. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в одноосном кристалле под воздействием поперечного электростатического поля, изменяются анизотропные свойства кристалла, что приводит к преобразованию одноосного кристалла в двухосный.
интегрально оптики,
вопросы нелинейной оптики,
изучение и создание новых конструкций оптоэлектронных и электрооптических...
кристалла, этот фотон не сможет распространяться в кристалле, происходит отражение этого фотона....
кристаллы....
Двумерные фотонные кристаллы....
Трехмерные фотонные кристаллы.
Статья посвящена разработке экспериментальной установки для измерения электрооптических свойств жидких кристаллов. Представлены краткие результаты экспериментов, проведенных на данной установке, описаны принципы работы установки. Проведены эксперименты по изучению допирования наночастицами жидкокристаллических пленок. Установлено, что добавление металлических наночастиц Ag, Cu и янус-подобных наночастиц TaSi 2/Si, Ag/Si почти вдвое уменьшает времена отклика жидких кристаллов.
интервал времени, отсчитываемый от момента окончания СВЧ импульса до момента, когда потери, дополнительные к потерям пропускания, достигнут в СВЧ защитном устройстве заданного уровня; обычно задается уровень, равный 3 дБ.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
прибор для измерения освещенности.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
