Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.
Так как в n- области концентрация электронов больше (в сравнении с концентрацией дырок), а в p- области...
наоборот, то электроны диффундируют из n- области, в p- область, а дырки в обратном направлении....
Как следствие роста потенциала n- области потенциальная энергия электронов в этой области уменьшается...
Так же ведут себя электроны, которые попали из n- области в p- область....
При увеличении напряжения энергия электронов в n-области растет, в p --области уменьшатся, при этом область
переход — это область, в которой соприкасаются два полупроводника с разными типами проводимости: дырочной...
и электронной....
основными носителями заряда, хаотично перемещаются из области, где их больше, в ту область, где их меньше...
Область в р-проводнике, примыкающая к границе, получает отрицательный заряд (переносимый электронами)...
, а пограничная область n-полупроводника получает положительный заряд, который приносится дырками.
Электронное правительство является результатом эволюции технологических и организационных средств. В настоящей работе сформулировано обобщенное определение электронного правительства и представлена системно-функциональная модель прикладных областей электронного правительства.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве