Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
прибор М-типа, в котором используются длинный анод и цилиндрический катод, а входное и выходное устройства присоединены к торцам анодного блока и трансформируют колебания π-вида в волну типа H011; в ЭУЛе происходит усиление высокочастотного сигнала в осевом направлении.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
регистрирующий прибор для измерения зависимости диаметра зрачка от времени.