Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
прибор М-типа, в котором используются длинный анод и цилиндрический катод, а входное и выходное устройства присоединены к торцам анодного блока и трансформируют колебания π-вида в волну типа H011; в ЭУЛе происходит усиление высокочастотного сигнала в осевом направлении.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.