Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
значение сопротивления, определяемое по наклону прямой аппроксимирующей характеристику открытого состояния тиристора или диода.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.