Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
волновое поле, сформированное в результате дифракции волны оптического диапазона.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.