Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
отношение энергии, дифрагированной в заданном порядке, к энергии падающего на дифракционный оптический элемент излучения.
Рассмотрено влияние параметров отражательных МЭМС решеток на их дифракционную эффективность. Выполнено сравнение характеристик решеток прямоугольного и ступенчатого профиля.
Скорректированы условия, гарантирующие отсутствие визуально наблюдаемого гало в изображении, формируемом камерой мобильного электронного устройства, объектив которого включает дифракционную линзу с однослойной пилообразной рельефно-фазовой микроструктурой. На примере пластмассово-линзового объектива, предназначенного для смартфона, продемонстрированы целесообразность и эффективность включения в его схему дифракционной линзы с однослойной микроструктурой, не приводящей к возникновению визуально наблюдаемого гало.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне