перемещение диффундирующего вещества по междоузлиям.
Разработана модель зависимой от стресса поверхностной генерации и рекомбинации точечных дефектов в кремнии. С ее помощью смоделированы такие явления, как рост дефектов упаковки и диффузия легирующих примесей в кремнии
Исследованы фото стимулированные преобразования дефектной структуры монокристаллов CdS(Cu), которым исходно свойственны междоузелъные доноры Си{, способные испытывать ионизационно-ускоренную диффузию по междоузлиям кристаллической решетки и ассоциироваться друг с другом. При этом в спектре индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) ”разгораются” квазилинейчатые спектры ИПФ в диапазоне hv — 0.35 — 0.58 эВ, примыкающие к полосе ИПФ с hvMакс = 0.33 эВ изолированных Сн°. Энергетическое положение и распределение относительных интенсивностей полос в квазилинейчатых спектрах ИПФ объяснены в рамках модели распределенных по межатомным расстояниям донорныхи пар
процесс получения пленки в виде бесшовного рукава путем раздувания газом (обычно воздухом) горячей трубчатой заготовки, полученной экструзией расплава полимера через кольцевую экструзионную головку.
механическое свойство, характеризующее поглощение механической энергии твердыми телами в процессе деформации и разрушения под действием ударной нагрузки.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
