основой ее является модель идеального вытеснения, осложненная обратным перемешиванием, наличие которого описывается формальным законом диффузии.
Так как в большинстве моделей биполярных транзисторов база делается тонкой и слабо легированной, большинство...
производства биполярных транзисторов используются две основные технологии: эпитаксиально-планарная и диффузионно-сплавная
Сконструирована диффузионная модель фрагментации хрупких материалов. В частном случае эта модель приводит к известному в теории фрагментации логарифмически нормальному закону распределения фрагментов но размерам.
создания датчиков давления: волоконно-оптические, гальваномагнитные, объемного сжатия, акустические, диффузионные...
В недорогих моделях корпус датчика и корпус электроники представляют собой одно целое.
линейные несовершенствование кристаллической решетки, которые в двух измерениях имеют размеры порядка атомных, а в третьем - большой размер может тянуться через весь кристалл; из-за дислокации прочность реальных (дефектных) кристаллов во много раз меньше, чем иделальных (бездефектных).
длина части ротора осадительной центрифуги непрерывного действия, не затопленной суспензией.
фильтры групп G и F согласно ЕН 779, а также фильтры групп Н и U согласно ЕН 1822, классифицированные в соответствии с их фильтрующей способностью.
