Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
величина удлинения на площадке текучести (0,1÷1%), при которой рабочая длина образца покрывается полосами (линиями) Чернова-Людерса.
Рассмотрены предел текучести, напряжения микротечения и деформация Чернова-Людерса для низкоуглеродистой стали. Показано характер изменения деформации Чернова-Людерса связан с размером зерна феррита и формированием дислокационной ячеистой структурой.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.