Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химико-термическая обработка, заключающаяся в диффузионном насыщении поверхностного слоя металла (изделия) цинком.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.