Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
избирательное поглощение энергии переменного электромагнитного поля электронами проводимости проводника, находящегося в состоянии магнитного насыщения.
В 1939 г. он открыл ${}^3{He\ }$ применив циклотрон в роли высокочастотного масс – спектрометра....
За открытие резонансов и исследование их свойств, Альварес в 1968 году был удостоен Нобелевской премии...
Для того чтобы сделать акцент на очень малом времени жизни этой частицы ее назвали резонансом....
Большое число известных на сегодняшний день частиц относят к резонансам....
Практически все резонансы были открыты Л.
Исследована динамика электронов вблизи блох-циклотронных резонансов в полупроводниковой сверхрешетке в присутствии наклонного магнитного поля с учетом температуры. Результаты исследования представляют интерес с точки зрения изучения возможностей управления нелинейными колебаниями в сверхрешетке. Показано, как температура влияет на разброс электронов вблизи резонансов.
электровакуумный сверхвысокочастотный генератор, который представляет собой разновидность мазера на циклотронном...
резонансе....
вынужденного излучения свободных электронов, которые помещены во внешнее магнитное поле и вращаются с циклотронной...
фазового синхронизма выражается следующим образом:
$w-k||v|| = swс$
где: w – частота излучения; wc – циклотронная
Для расширения области применения аналитических методов масс-спектрометрии, а также для разработки новых конструкций масс-анализаторов требуется разработка новых эффективных способов построения спектральной функции сокращенных во времени сигналов в расширенной полосе частот. В данной работе представлен корреляционный метод анализа ионных сигналов в масс-спектрометрах с записью широкополосного сигнала, приведены разработанные алгоритмы и принципы работы программы, позволяющие ускорить получение данных с высоким разрешением. Результаты сопоставлены с полученными при использовании преобразования Фурье в режиме коротких (около 1 мс) реализаций ионных сигналов.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве