Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.