Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
часть разъемного оптического соединителя, предназначенная для крепления на несущей конструкции.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».