Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Работа поддержана грантом Президента РФ МК-3549.2007.8 и грантом НШ-5965.2006.3.
Выполнен термодинамический анализ условий превращения переохлажденного аустенита в перлито-бейнитном интервале. Оценена величина свободной энергии превращения. Показано, что основной вклад в эту величину в области бейнитного превращения вносит свободная энергия образования α-фазы, пересыщенной углеродом. Это обусловливает изменение движущей силы превращения по кривой с максимумом, что соответствует характеру изменения кинетики превращения при снижении температуры в пределах А-Мн.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.