Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
среда, позволяющая осуществлять насыщение углеродом и азотом металла (изделия) в данных условиях.
Представлена универсальная азотонауглероживающая среда для проведения химико-термической обработки, показаны зависимости содержания азота и углерода в диффузионных слоях от температуры нагрева в азотисто-углеродном покрытии и микроструктуры этих слоев.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.