Автоэлектронная эмиссия, холодная эмиссия

Формирование элементов автоэмиссионной наноэлектроники на основе пленок графена на карбиде кремния методом фокусированных ионных пучков

Рассмотрено изготовление наноразмерных автоэмиссионных структур методом фокусированных ионных пучков (ФИП). Показано, что применение ФИП позволяет формировать структуры автоэмиссионной электроники острийного и планарного типа, а также варьировать геометрические параметры острия в широких пределах. В качестве материалов подложки при формировании автокатодов использованы карбид кремния и плёнки графена на поверхности карбида кремния. Графен получен методом деструкции карбида кремния в вакууме. В статье рассмотрены конструкции автоэмиссионных катодов острийного и планарного типа. Отработаны режимы формирования наноразмерных автоэмиссионных катодов методом локального ионно-лучевого травления ФИП галлия. Разработаны конструкции и изготовлены экспериментальные образцы автоэмиссионных катодов с радиусом закругления острия менее 100 нм. Автоэмиссионные катоды острийного типа изготавливались на подложке карбида кремния с последующим формированием пленок графена на поверхности методом высокот...