Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термически упрочняемый сплав системы Al—Сu—Mg—Si; содержит 4% Сu; 0,5—1,0% Mg, 0,3—0,7% Si и 0,5— 0,7% Mn; используется в виде штамповок, листов и прутков, нуждается в защите от коррозии; отечественным аналогом является сплав 1380 (АК8).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве