Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
технически чистое железо; содержит 99,84 % и более чистого железа.
Работа посвящена изучению деформационных явлений в ферритной металлической основе при воздействии импульсного лазерного излучения. Установлено, что при нагреве до температур порядка 700… 1000 °С деформация в армко-железе осуществляется по механизму зернограничного проскальзывания (ЗГП). Приведена методика количественной оценки степени деформации в зоне термического влияния лазерной обработки. Оценки по этой методике показали, что степень относительной деформации по механизму ЗГП не превышает 5-6 %.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.