Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Аморфная пленка
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
тонкая пленка в аморфном состоянии, как правило формирующаяся на металлической поверхности.
Научные статьи на тему «Аморфная пленка»
Производство полиамидов
Полиамиды взаимодействуют с окружающей средой, обратимо впитывая влагу, вода в данном случае собирается в аморфных...
в народном хозяйстве полиамиды могут быть использованы в качестве клея и пленки;
в пищевой промышленности
Статья от экспертов
Кинетика кристаллизации в аморфных пленках AgInS2
Кинематической электронографией исследована кинетика фазовых превращений, протекающих в аморфных пленках AgInS2, полученных вакуумным осаждением как в условиях отсутствия каких-либо внешних воздействий, так и при воздействии на молекулярный пар электрического поля, напряженностью 2000 В см-1. Определена мерность роста кристалликов, образующихся при кристаллизации аморфных пленок AgInS2, равная двум, а также энергия активации зародышеобразования Е3=48,2 ккал/моль и энергия активации роста кристалликов Еp=38,4 ккал/моль. Электрическое поле способствует получению аморфных пленок с более устойчивым состоянием.
Creative Commons
Научный журнал
Тепловые свойства наноматериалов
современных наноматериалов: нанокристаллы, нанокластеры, нанопористые структуры, наноструктурированные пленки...
квантовые точки; одномерные - нанотрубки и квантовые проводники; двумерные - поверхности разделов и тонкие пленки...
Температура размягчения, которая определяется для материалов с аморфной структурой, переходящих из твердого
Статья от экспертов
ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ A-SI0,80GE0,20:HX
Some parameters of amorphous a-Si0.80Ge0.20:Hx thin films and solar Pt/a-Si0.80Ge0.20:Hx - cells (where x=1, 9;14 at. % and 21 at. % ) with pin-structure in which i-layer has been prepared from amorphous a-Si0.80Ge0.20:Hx (with x = 21 at. % ) are considering in this paper. Current-voltaic (I-V) characteristics under lightening and dark have been investigated. The C-V characteristics have also been considered in the paper and diode's capacity has been measured. The some important characteristics, such as diode's barrier height (φB), the expanse charge layer width (WB), diode quality factor (n' & n) measured both under illumination and dark and coefficient of efficiency (η) for each of the elements has been calculated. It has been determined that the biggest efficiency coefficient gets pin-structure the value of which at square surface S = 0,7 cm2 equals n = 6,5 %.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
- Аморфный
- Пленка
- Оксидная пленка, окисная пленка
- Аморфные облака
- Аморфный лед
- Аморфный снег
- Аморфное тело
- Аморфные области
- Аморфный материал
- Аморфный металл
- Аморфный слой
- Аморфный сплав
- Аморфный твердый
- Пленка диффузионная
- Защитная пленка
- Магнитная пленка
- Поливная пленка
- Экструзия пленки
- Анодная пленка
- Катодная пленка
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
